北京頓思集成電路設(shè)計有限責任公司
職責描述：
1. 射頻功率放大器技術(shù)研發(fā)。針對特殊應(yīng)用領(lǐng)域，開發(fā)提高大功率功放寬帶、效率、線性度以及可靠性的技術(shù)方法。
2. 跟蹤調(diào)研相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的前沿技術(shù)進展。
3. 支持技術(shù)到產(chǎn)品應(yīng)用的轉(zhuǎn)換工作。
任職要求：
1. 無線電通信、電磁場微波技術(shù)專業(yè)，本科或本科以上學歷，有三年以上從事射頻大功率功放研發(fā)經(jīng)驗，或能力表現(xiàn)突出者。
2. 具備良好的射頻、微波電路理論基礎(chǔ)，熟悉功放，低噪放，頻率綜合，混頻，濾波，功率合成、天線等基本電路和部件的原理、技術(shù)實現(xiàn)方式，了解射頻收發(fā)系統(tǒng)的原理和構(gòu)成。
3. 深刻理解和掌握射頻功率放大器的基本原理和關(guān)鍵技術(shù)，具有獨立設(shè)計和調(diào)試功放電路的能力。
4. 熟練使用常用微波儀器（如網(wǎng)絡(luò)分析儀，頻譜儀，信號源等），及一種或多種微波射頻仿真軟件（ADS/HFSS/CST等）。
5. 嚴謹踏實的科研工作態(tài)度。
6. 善于學習，具有獨立開展工作、解決問題的能力。
7. 溝通、表達清楚，富有團隊合作精神。
8. 良好的英文閱讀能力。
崗位職責：
1、功率半導體器件設(shè)計及仿真，與foudry廠家共同建立工藝流程；
2、試驗數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析；
3、協(xié)助進行工藝整合，流片和測試；
4、整理相關(guān)技術(shù)文件，并及時歸檔。
任職要求：
1、半導體或微電子相關(guān)專業(yè)，碩士學歷；
2、具備扎實的半導體器件物理理論知識，特別是MOSFET等功率器件理論知識；
3、了解半導體器件的制造工藝流程；
4、熟練掌握半導體器件仿真軟件Sentaurus/TS4/Sivalco的使用, 熟悉版圖工具軟件Cadence/LEDIT等；
5、工作嚴謹、思路清晰，有較好的溝通能力、學習能力和團隊協(xié)作能力。